در این پژوهش، کاهش جریان دوقطبی در ترانزیستور تونلی نانونوار ژرمانن برپایه نظریه تابعی چگالی و روش تابع گرین غیرتعادلی مورد بررسی قرار می گیرد. در این راستا با استفاده از دو روش پیشنهادی یعنی استفاده از همپوشانی گیت برروی درین و همچنین کاهش میزان دوپینگ سمت درین نسبت به سورس، میزان کاهش جریان تونلی ناشی از حفره ها مورد شبیه سازی و مطالعه قرار می گیرد. نتایج به دست آمده با استفاده از نرم افزارهای کوانتوم اسپرسو و نانوتیکدویدز نشان دهنده این هستند که با امتداد طول گیت بر روی قسمتی از ناحیه درین، جریان دوقطبی کاهش می یابد که این کاهش جریان با افزایش طول همپوشانی بیشتر می شود. از طرفی با کاهش میزان دوپینگ سمت درین نسبت به سورس مجددا کاهش جریان دوقطبی اتفاق می افتد. در ادامه با تلفیق هردو روش پیشنهادی مشاهده می شود که می توان به خوبی جریان دوقطبی را در این افزاره کاهش داد که این موضوع یک امر مهم در طراحی مدارات دیجیتال به حساب می آید.

در این مطالعه خواص ترموالکتریکی سیستم مبتنی برمولیبدن دی سولفاید و تنگستن دی تلوراید را در سه ترکیب با دو نانو نوار یکسان مولیبدن دی سولفاید و تنگستن دی تلوراید را در لایه بالا وپایین و همچنین ساختاری با دو لایه متفاوت یکی مولیبدن دی سولفاید ودیگری تنگستن دی تلوراید بررسی می کنیم این خواص شامل ضریب رسانش الکتریکی (G)، رسانندگی گرمایی (κe)، ضریب سیبک یا توان ترموالکتریکی (S) و ضریب بهینگی (ZTe) می باشند که برای طراحی ادوات ترموالکترونیکی مناسب هستند. اثر نوع ترکیبات ساختارهای ناهمگون دو بعدی و دما روی خواص ترمودینامیکی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می-دهند، پیکربندی مولیبیدن دی سولفاید/ تنگستن دی تلوراید با ساختار لبه آرمچیرمطلوب ترین خواص ترموالکتریکی را دارد. نتایج این مقاله می تواند در طراحی ادوات نانوالکترونیکی مبتنی بر لایه های دو بعدی مفید باشد.

در این مقاله با بهره گیری از روش تابع گرین و در رهیافت تنگابست، تأثیر حضور و چگونگی توزیع ناخالصی های الکتریکی را بر روی رسانش الکترونی یک نانونوار با ساختار مربعی مطالعه می کنیم. بدین منظور با به کار بردن یک تبدیل یکانی مناسب، مدهای رسانش را در قسمت های ایده آل جدا نموده و خود انرژی های مربوطه را به صورت تحلیلی به دست می آوریم. سپس با به کار گیری رابطه فیشرلی رسانش سامانه را به صورت الگوریتمی که سریعاً توسط رایانه قابل محاسبه است، ارائه می کنیم. نتایج عددی نشان می دهد که توزیع ناخالصی های الکتریکی با انرژی های جایگاهی متفاوت، منجر به مقادیر متفاوتی از رسانش الکترونی در سامانه شده و به طور کلی باعث کاهش رسانش الکتریکی می شود.

در این مقاله، بازدهی هدایت حرارتی نانونوار گرافنی دارای نقص در برابر حضور نانوذرات افزوده در عملیات آشکارسازی جرم های کوچک با استفاده از دینامیک مولکولی غیرتعادلی معکوس مورد مطالعه قرار گرفته است. مدیریت هدایت حرارتی این ساختار به دلیل تلفات القایی در هدایت الکتریکی بسیار موردبحث بوده و هر راهی که بتواند هدایت حرارتی گرافن را تحت مدیریت قرار دهد بسیار کارآمد خواهد بود. در این مقاله دیده شده که حین انجام عملیات آشکارسازی، در اثر ایجاد تخلخلهایی در سطح نانونوار و یا افزوده شدن نانوذرات خارجی، خواص حرارتی گرافن تغییر قابل توجهی می نماید که این مساله باید در کالیبراسیون سنسورهای جرمی بر مبنای گرافن مدنظر قرار گیرد. بطور خلاصه، شبیه سازی ها نشان داده که ضریب هدایت حرارتی گرافن با افزایش حضور نانو ذرات آهن کاهش می یابد. در لبه های نوار گرافنی مقدار ضریب هدایت حرارتی از بقیه نقاط بیشتر است که نشان می دهد مکان جای خالی و نانوذره بر ضریب هدایت حرارتی اثرگذار است. به عنوان نتیجه ای جالب توجه، مقدار ضریب هدایت حرارتی حالت جای خالی بیشتر از حالت نانوذره همراه با جای خالی بوده و افزایش قطر حفره، اثر مستقیم بر کاهش مقدار ضریب هدایت حرارتی داشته به طوری که با افزایش قطر حفره از 0.5 نانومتر به 4.4 نانومتر در یک نوار گرافن با عرض 5 نانومتر، مقدار ضریب هدایت حرارتی از 67 W/mk به 1.43 W/mk می رسد.

در این مقاله با اتصال دو زنجیره اتمی یک نواخت به اتم های دو جای گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می پردازیم. محاسبات به کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایه اول انجام می شود. بررسی منحنی های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقه بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی که در مورد دسته صندلی همواره یک گاف حول انرژی فرمی مشاهده می شود که مقدار آن به اندازه نانونوار بستگی دارد. در پایان از مقایسه نتایج به دست آمده با پژوهش های قبلی، می توان نتیجه گرفت که رفتار رسانش الکترونی نانونوارهای گرافنی شدیدا به نحوه اتصال الکترودها و کیفیت اتصال ها وابسته است.

 با بکار بردن روش تابع گرین غیر تعادلی، خواص ترابرد الکترونی وابسته به اسپین در نانو نوار زیگزاگ سیلیسین بررسی شده است. در غیاب میدان تبادلی، رسانش الکتریکی می تواند بوسیله میدان الکتریکی ناهمگن تنظیم شود. نانو نوار سیلیسین در این حالت به عنوان یک ترانزیستور اثر میدانی چند دیجیتاله عمل می کند. با قرار دادن زیر لایه فرومغناطیس در نانو نوار سیلیسین در آن میدان های تبادلی القاء می شود. علاوه برآن، ما یک میدان الکتریکی ناهمگن با بکاربردن میدان های الکتریکی خارجی بطور مستقل بر روی هر دو لبه نانو نوار سیلیسین برای دستکاری خواص رسانش الکترونی وابسته به اسپین بکار می بریم. ما دریافتیم که قطبش اسپینی کامل می تواند در حضور میدان الکتریکی ناهمگن و میدان تبادلی اتفاق بیفتد و نانو نوار می تواند به عنوان اسپین فیلتر کامل عمل کند. راستای اسپین الکترون های عبوری می تواند به آسانی بوسیله معکوس کردن راستای میدان الکتریکی در لبه های نانو نوار تغییر داده شود. همچنین در این مورد، راستای قطبش اسپینی م یتواند با تغییر دادن انرژی فرمی الکترون تنظیم شود.

در این مقاله به بررسی ویژگی­های ترابردی یک نانو نوار فسفرین با لبه های زیگزاگ پرداخته شده است. اگر چه فسفرین یک ساختار دو بعدی شکاف دار است ولی هر لبه ی زیگزاگ از نانونوار فسفرین مانند یک سیم کوانتومی یک بعدی عمل می کند. بنابراین یک نانونوار با دو لبه مانند دو سیم کوانتومی موازی یکدیگر هستند. در این مقاله نشان می شود که با اضافه کردن یک خط ناخالصی بین لبه ی بالا و پایین می توان یک نوار ناخالصی ایجاد کرد که می تواند لبه ی بالا را به لبه ی پایین متصل کند. به عبارتی می تواند ورودی های مختلف به خروجی هایی مختلف جفت شوند. برای محاسبه ی ضرایب جفت شدگی بین ورودی ها و خروجی ها از فرمول بندی لیپمن- شوئینگر استفاده شده است. نتایج نهایی نشان می دهد که بسته به انرژی حالت ورودی و موج ایستاده متناظر با آن در نوار ناخالصی می تواند پدیده ی تشدید یا پاد تشدید در پراکندگی بین ورودی ها و خروجی ها ایجاد شود. طرح پیشنهادی در این مقاله می تواند افزون بر جنبه ی نظری از لحاظ کاربردی برای ساخت نانوسوئیچ ها نیز کاربرد داشته باشد.